CXMT 466% 급등…HBM 격차가 관건

테크 · 2026-07-31 · CNBC

중국 메모리반도체 기업 CXMT가 상하이 증시 데뷔 첫날 466% 급등했다. 다만 애널리스트들은 선진 메모리 기술, 특히 AI 시대 핵심인 HBM에서의 격차를 좁히는 것이 글로벌 시장 도전의 관건이라고 분석한다.

중국 메모리반도체 기업 CXMT가 상하이 증시 데뷔 첫날 약 466% 급등하며 베이징의 반도체 자급자족 노력이 성과를 내고 있다는 기대를 키웠다. 그러나 애널리스트들은 투자자 열기가 아니라 선진 메모리반도체 기술 격차를 좁히는 것이 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론에 도전할 수 있는 핵심 변수라고 지적한다.

주요 관건은 고대역폭 메모리(HBM)다. AI 붐을 뒷받침하는 이 기술에서 세 회사가 큰 우위를 확보한 상태다. CXMT는 최첨단 EUV 노광장비를 확보하지 못해 같은 양의 메모리를 생산하는 데 경쟁사보다 약 30% 더 많은 웨이퍼가 필요하다. 상하이 신규 팹은 AI 칩과 HBM 생산을 겨냥하고 있으며, 2026년 말부터 HBM 생산을 목표로 하지만 초기 제품은 HBM3E 또는 HBM3 수준에 그쳐 HBM4/4E로 나아가는 경쟁사보다 1~2세대 뒤처질 전망이다.

카운터포인트리서치에 따르면 글로벌 D램 시장 점유율은 삼성전자 38%, SK하이닉스 29%, 마이크론 22%, CXMT 8%다. CXMT는 텐센트, 바이트댄스, 알리바바 등 중국 고객을 중심으로 점유율을 확대할 것으로 예상된다. 다만 수율(양품률)이 낮아 물량 확대에 제약이 있고, AI 서버용 고용량·고성능 제품 역량이 제한적이라는 분석이 나온다. AI 메모리 수요가 정상화되기 전에 격차를 실질적으로 좁히기는 어려울 것이라는 전망이다.