TSMC, 엔비디아 요청 3D D램 진출설 부인

테크 · 2026-11-07 · Tom's Hardware

TSMC가 엔비디아의 요청으로 3D D램 생산을 검토하고 있다는 보도에 대해 "자사는 순수 로직 파운드리"라며 부인했다. 다만 보도는 첨단 패키징 담당 부사장이 관련 계획을 주도하고 있다고 전했다. D램 공급 부족이 이어지는 가운데 TSMC의 메모리 진출 가능성과 리스크가 함께 거론된다.

TSMC가 엔비디아의 요청으로 3D D램 생산에 나설 수 있다는 보도에 대해 "자사는 순수 로직 파운드리"라며 진출설을 부인했다.

최근 더인포메이션은 소식통 두 명을 인용해 TSMC가 엔비디아의 요청을 받아 3D D램 제조 계획 수립에 착수했다고 보도했다. 이 사업은 첨단 패키징을 담당하는 허궈친 부사장이 주도하는 것으로 전해졌으며, 그는 마이크론 대만 사업을 이끌었던 인물이다. TSMC 대변인은 "TSMC는 항상 IC 파운드리라는 핵심 사업에 집중한다"며 "글로벌 로직 IC 산업의 신뢰할 수 있는 기술·생산 능력 제공자 역할을 계속할 것"이라고 밝혔다.

배경에는 AI 데이터센터발 메모리 수요 폭증이 있다. D램 공급 부족이 이어지면서 메모리는 제품 출하 여부를 가르는 전략 자산으로 성격이 바뀌었다. 다만 3D D램은 셀을 수직으로 쌓아 웨이퍼당 용량을 늘리는 방식으로, 마이크론·삼성전자·SK하이닉스 등 주요 3사조차 상용화까지 수년이 걸리는 기술이다. 업계에서는 3D D램 진출만으로 향후 5년 내 공급난이 해소되기는 어렵다는 관측이 나온다.

TSMC는 D램 생산 경험과 설비를 갖추지 못했다. 로직 공정과 D램 공정은 요구 기술이 전혀 다르고, 3D D램은 적층 구조의 결함 제어와 수율 확보가 관건이어서 경쟁력 있는 평면 D램 공정 없이는 개발 자체가 쉽지 않다. 진출할 경우 메모리 호황·불황 사이클에 노출되고, HBM(고대역폭메모리) 로직 베이스다이를 함께 만드는 SK하이닉스 등 메모리 업체와의 관계도 복잡해질 수 있다. 로직·패키징·메모리를 동시에 쥐는 수직계열화에 대한 반독점 우려도 제기된다.