글로벌파운드리스, EUV 없이 7nm급 FDX 공정 공개

테크 · 2026-11-06 · Tom's Hardware

글로벌파운드리스가 FD-SOI 기반 FDX Fusion 공정을 공개했다. EUV 노광 없이 7nm급 성능과 8nm급 로직 밀도를 목표로 하며, 2028년 상용 생산을 계획한다.

글로벌파운드리스가 FD-SOI(완전 공핍 실리콘온인슐레이터) 기반의 새 공정 'FDX Fusion'을 공개했다. 7nm급 성능을 EUV(극자외선) 노광 없이 구현하는 것이 핵심으로, 7nm 핀펫(FinFET) 개발을 중단한 지 8년 만에 다른 경로로 같은 성능대에 도전하는 셈이다.

이 공정은 첨단 평면형 트랜지스터와 변형 실리콘 기판, 광학 패터닝을 조합해 8nm급 로직 밀도를 달성하는 것을 목표로 한다. 회사 측은 게이트 밀도가 기존 22FDX 세대보다 2.2배 높아진다고 설명했다. 노광은 DUV(심자외선) 장비로 진행되며, 핵심 층에는 다중 패터닝이 적용될 전망이다. FDX Fusion은 적응형 바디 바이어스 기능을 유지하면서 고밀도 디지털 로직과 RF·아날로그·임베디드 메모리를 함께 구현한다.

상용 생산은 2028년 시작할 계획이다. 적용 분야로는 와이파이·블루투스·셀룰러·위성통신 등 연결 칩과 엣지 추론 기능을 갖춘 마이크로컨트롤러(MCU), 자동차 레이더, 데이터센터 내 신호 경로가 꼽힌다. 회사는 500GHz급 fT/fmax 특성이 자동차 레이더와 데이터센터의 초고속 신호 증폭·클록 복원 회로에 유리하다고 강조했다.