게싱거 후원 나가레랩스, AI칩용 Z2RAM 공개

테크 · 2026-11-06 · Tom's Hardware

조지아텍 스핀아웃 나가레랩스가 AI 칩 위에 직접 적층하는 메모리 Z2RAM을 공개했다. SRAM급 속도를 DRAM급 밀도로 구현한다는 주장으로, 창업진 논문에서는 85도 환경에서 300초 이상 데이터를 유지하는 셀이 확인됐다. 상용화까지는 고온 유지력 등 검증 과제가 남아 있다.

패트 게싱거가 후원하는 조지아텍 스핀아웃 나가레랩스가 AI 칩 위에 직접 적층하는 메모리 Z2RAM을 공개했다. SRAM급 속도를 DRAM급 밀도로 구현한다는 주장이다. 창업진 논문에서는 섭씨 85도에서 데이터를 300초 이상 유지하는 셀이 확인됐다.

Z2RAM은 '트랜지스터 두 개와 차폐막, 커패시터 없음'이 핵심이다. 쓰기 트랜지스터가 저장 노드에 전하를 얹고 차폐막이 이웃 셀 간섭을 막으며, 읽기가 비파괴적이어서 DRAM식 재기입이 필요 없다. 가속기 위에 층을 쌓아 한 다이에서 함께 패터닝하고, 인터포저나 접합 없이 극자외선(EUV) 없이 DUV 300mm 장비로 제조할 수 있다는 설명이다. 1세대 목표는 6층 기준 SRAM 대비 5배 밀도, DRAM 대비 14배 속도, SRAM 대비 3분의 1 수준의 읽기 에너지다.

검증은 초기 단계다. 고온 유지력이 관건인데 공개된 셀은 DRAM이 견뎌야 하는 약 95도에 아직 못 미친다. 공동창업자 수만 다타는 '말 그대로 실험실 프로토타입'이라며 4년 내 타일 샘플링을 목표로 제시했다.

배경에는 AI 칩의 대역폭 병목이 있다. 고대역폭메모리(HBM)는 수율 확보가 어렵고 발열도 부담이라 업계는 적층 수를 줄이는 흐름이다. 삼성전자는 DRAM을 프로세서 위에 얹는 zHBM을 4층 수준으로 계획하고, 마이크론은 vHBM에 방열 구조를 넣었다. 나가레랩스는 100층 이상 적층을 장기 목표로 내걸었지만 상용화까지 넘어야 할 검증 관문이 남아 있다.