중국, EUV 없이 첨단 GAA 트랜지스터 구현

테크 · 2026-09-21 · Tom's Hardware

중국 연구진이 극자외선(EUV) 노광 장비 없이 첨단 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터를 구현했다는 소식이 전해졌다. 적층 나노시트 구조를 활용한 연구·시연 단계 성과로, 실제 최선단 양산 공정 완성과는 거리가 있다는 평가가 나온다.

중국 연구진이 극자외선(EUV) 노광 장비 없이 첨단 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터를 구현했다는 소식이 전해졌다. 적층 나노시트 구조를 활용한 방식으로 알려졌다. EUV 장비 수출 통제를 받는 중국이 미세 공정 확보를 위한 우회 경로를 모색하고 있음을 보여준다.

GAA는 게이트가 채널을 사방에서 감싸는 차세대 트랜지스터 구조로, 전력 효율과 집적도 개선에 유리한 것으로 평가된다. 다만 이번 성과는 연구·시연 단계에 머무는 것으로, 실제 최선단 양산 공정 완성과는 상당한 거리가 있다는 지적이 나온다.

EUV는 최선단 미세 공정의 핵심 장비로, 네덜란드 ASML이 사실상 독점 생산하며 미국 주도의 수출 통제 대상에 포함돼 있다. 중국이 EUV 없이 미세 공정을 구현하려는 시도는 이어져 왔지만, 수율과 양산성 확보가 관건이라는 분석이 우세하다.

이번 성과가 곧바로 글로벌 파운드리 판도를 바꾸기는 어렵다는 시각이 많다. 다만 중국의 자국 반도체 자립 시도가 어느 수준까지 도달했는지를 보여주는 지표라는 점에서, 장비·소재 공급망과 각국의 수출 통제 향방을 지켜볼 필요가 있다는 관측이 나온다.