SK하이닉스, 메모리 팹 2곳에 54조 원 투자

산업 · 2026-08-07 · CNBC

SK하이닉스가 AI 수요 급증에 대응해 메모리 반도체 생산시설 2곳에 54조 원을 투자한다. 용인 Y2 팹과 청주 M17 팹을 각각 건설해 DRAM과 NAND 생산을 확대할 계획이다.

SK하이닉스는 인공지능(AI) 핵심 부품인 메모리 반도체 수요가 계속 늘어남에 따라 신규 생산시설 2곳에 54조 원을 투자한다고 밝혔다. 용인에는 35조 원 규모의 'Y2' 팹을, 청주에는 19조 원 규모의 'M17' 팹을 각각 짓는다.

용인 Y2 팹은 DRAM 생산기지로 쓰이며, 2027년 7월 착공해 2029년 6월 첫 클린룸 가동을 목표로 한다. HBM과 차세대 DRAM 제품을 생산할 예정이다. 청주 M17 팹은 NAND 메모리 생산을 맡으며, 2027년 2월 착공해 2028년 12월 가동에 들어간다.

이번 투자는 데이터센터 등 AI 인프라 구축 수요와 공급 부족으로 메모리 가격이 급등한 가운데 나왔다. 다만 시장조사업체 카운터포인트리서치는 삼성전자가 2분기 DRAM 시장 점유율 1위를 되찾는 등 경쟁이 심화되고 있다고 지적했다. 또 SK하이닉스, 삼성전자, 마이크론 등 다수의 공급사 확장으로 2028년까지 공급이 크게 늘겠지만, 수요 증가 속도가 더 빨라 메모리 가격 약세는 2028년 말 이전엔 어려울 것이라는 전망도 나온다.